下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）。

试卷相关题目

• 1比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.CTO

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• 2比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 3比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 4下列电力半导体器件电路符号中，表示IgBT器件电路符号的是（）。

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 5

  双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

  A.一个

  B.两个

  C.三个

  D.四个

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• 6单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的。

  A.截止区

  B.负阻区

  C.饱和区

  D.任意区域

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• 7在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

  A.整流方式

  B.晶闸管导通角

  C.电源电压

  D.电源频率

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• 8按逆变电路的（），分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。

  A.器件

  B.输出电能

  C.直流侧电源性质

  D.电流波形

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• 9在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面哪-种范围合理?（）

  A.30°~35°

  B.10°~15°

  C.0°~10°

  D.0°

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• 10通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载，称为（）。

  A.有源逆变

  B.无源逆变

  C.整流

  D.反馈

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