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【多选题】电力电子器件P-MOSFET为( ) 器件。

发布时间:2022-11-28

A.电压控制型

B.电流控制型

C.单极型

D.双极型

试卷相关题目

  • 1【多选题】PWM控制技术可以应用在下列哪种变流电路中( )。

    A.整流电路

    B.逆变电路

    C.直流—直流变流电路

    D.交流—交流变流电路

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  • 2【多选题】直接交—交变频电路的应用领域有 ( )。

    A.轧钢机主传动装置

    B.矿石破碎机

    C.球磨机

    D.卷扬机

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  • 3【多选题】关于晶闸管式的交流调压电路与交流调功电路的说法,描述错误的是( )。

    A.两者的电路硬件结构可以是相同的

    B.前者控制的是晶闸管的通断

    C.后者控制的是晶闸管的相位

    D.两者主要关注的都是输出电压的有效值。

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  • 4【多选题】IGBT管的输出特性可分为()三个区。

    A.正向阻断区

    B.非饱和区

    C.饱和区

    D.有源区

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  • 5

    【多选题】电力MOSFET管的输出特性可分为( ) 三个区。

    A.线性区

    B.非饱和区

    C.饱和区

    D.截正区

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  • 6【多选题】相控整流电路会对电网造成谐波污染并使得电网功率因数降低,为了减少谐波影响并提高功率因数,可采取()措施。

    A.减小整流电路相数

    B.增加整流电路相数

    C.增大触发角a

    D.减小触发角a

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  • 7【多选题】星形联结的三相三线制三相交流调压电路,电阻性负载。当触发角在60° <a <90°范围内调节时,输出的A相负载电压会出现()。

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 8设流过晶闸管的有效值为157A,考虑两倍的安全裕量应选择晶闸管的额定值为()。

    A.50A;

    B.75A;

    C.100A;

    D.200A;

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  • 9下面关于GTR说法正确的是()

    A.存在二次击穿问题;

    B.采用达林顿结构提高电流增益:

    C.一般采用共射极接法,

    D.其稳定工作在截止区和饱和区两个状态。

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  • 10

    下面器件利用了单极性器件与双极性器件的优势的是()

    A.电力二极管

    B.Power MOSFET

    C.IGBT

    D.GTR

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