电力MOSFET、IGBT至控型器件的出處，使得需要高频开关的脉冲宽度调制PWM得以实现，把电力电子技术推进到一个新的发展阶段。

试卷相关题目

• 1

  下列器件中，（）是MOSFET和GTO的复合，已经获得大量应用。

  A.电力二极管PD

  B.晶闸管

  C.IGCT

  D.IGBT

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• 2

  下列器件中，（）的出现是电力电子技术诞生的标致。

  A.晶体管

  B.晶闸管

  C.水银整流器

  D.IGBT

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• 3采用全控型器件的电路的主要控制方式为相控方式。

  A.正确

  B.错误

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• 4电力电子技术是弱电和强电之间的接口。

  A.正确

  B.错误

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• 5

  电力电子技术中，电力电子器件可工作在开关状态，也可工作在放大状态。

  A.正确

  B.错误

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• 6

  在大型计算机房等场合，常常需要不间断电源（UPS）供电

  A.正确

  B.错误

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• 7在系统开关频率不高（如工频）的情况下，（）是电力电子器件功率损耗的主要成因。

  A.开通损耗

  B.关断损耗

  C.通态损耗

  D.开关损耗

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• 8下列器件中，（）是半控型器件。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 9PWM控制技术在电力电子技术中的位置十分重要，它可在（）变流电路中应用。

  A.整流

  B.逆变

  C.直流斩波

  D.交流交流控制

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• 10软开关技术在电力电子交流装置中的应用，可以（）。

  A.增大装置体积

  B.提高效率

  C.提高电力电子装置的功率密度

  D.增大装置重量

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