下面（）属于晶闸管的派生器件。

试卷相关题目

• 1晶闸管导通的条件包括（）

  A.承受正向电压:

  B.承受反向电压:

  C.阳极有触发电流;

  D.门极有触发电流.

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• 2

  晶闸管除了可以通过门极电流触发，还有以下几种误导通的情况:（）。

  A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应:

  B.阳极电压上升率过高;

  C.结温较高:

  D.光直接照射硅片.

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• 3下列新型器件中，（）是复合型器件.

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 4下列器件中，（）是双极型器件。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 5下列器件中，（）是电流驱动型器件。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.GTR

  D.IGBT

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• 6与普通晶闸管相比，GTO能通过门极关断，是因为（）:

  A.设计器件时使得a2较大，这样晶体管V2控制灵敏:

  B.使得导通时的a1+a2更接近于1,为1.05左右:

  C.采用多元集成结构:

  D.导通时饱和程度比晶闸管饱和程度深。

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• 7

  目前在电力电子器件制造方面，很多人认为依靠硅器件继续完善和提在电力电子与系统性能的潜力已十分有限。因此，将越来越多的注意力投向（）等宽禁带光导体材料

  A.碳化硅

  B.氮化镓

  C.金刚石

  D.锗

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• 8

  基于宽禁带半导体材料（如碳化硅）的电力电子器件与硅器件具有（）。

  A.耐压高

  B.低得多的通态电阻

  C.耐受高温

  D.热稳定性更好

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• 9功率集成电路与分立电路比较，有（）特点大

  A.体积增大

  B.使用更为方便

  C.可靠性提高

  D.实现了电能和信息的集成

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• 10

  电压驱动型器件有（）的特点。

  A.工作频率低

  B.驱动功率小

  C.驱动电路简单

  D.工作频率高

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