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维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于()

发布时间:2022-11-30

A.维持电流

B.擎住电流

C.额定电流

D.关断电流

试卷相关题目

  • 1电容滤波的三相不可控整流电路,交流电源的频率为50Hz,负载=若要使输出电流连续,电容值为()可以满足要求。

    A.89nF

    B.l000pF

    C.2uF

    D.5uF

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  • 2电容滤波的单相不可控整流电路,若负载R=5Ω,交流电源的频率为50Hz,为了使输出电压=1.2,电容值为()可以满足要求。

    A.3uF

    B.6uF

    C.8uF

    D.l0uF

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  • 3下列属于变压器漏感对整流电路的影响有()。

    A.输出电压平均值降低

    B.可能会使晶闸管误导通

    C.换相使电网电压出现缺口

    D.功率因数降低

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  • 4

    三相半波可控整流电路电阻性负载,输出电压与输入电压的比值/=()属于合理的取值。

    A.1.17

    B.0.8

    C.0

    D.1.2

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  • 5电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()

    A.30°〜150°

    B.0°〜120°

    C.15°〜125°

    D.0°〜150°

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  • 6下列器件中,没有电导调制效应的器件为()

    A.IGBT

    B.GTR

    C.GT0

    D.电力 M0SFET

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  • 7晶闸管额定电流描述正确的是:()

    A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。

    B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。

    C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。

    D.允许流过最大方波电流的平均值。

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  • 8工频正弦半波电流的波形系数为()

    A.0.45

    B.0.9

    C.1.57

    D.11

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  • 9关于MOSFET的开关速度,表述正确的是()。

    A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速

    B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长

    C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长

    D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快

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  • 10电容滤波的三相不可控整流电路,电阻性负载,若变压器二次侧电压的峰值为输出电压的平均值可能为()。

    A.

    B.

    C.

    D.

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