在电场作用下，电子的运动速度比正、负离子（   ）。

试卷相关题目

• 1金属的逸出功和气体分子的电离能相比（   ）。

  A.逸出功大

  B.电离能大

  C.两者一样大

  D.无法比较

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• 2气体放电过程中产生带电质点最重要的方式是（   ）。

  A.热电离

  B.光电离

  C.碰撞电离

  D.分级电离

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• 3在气体放电过程中，与气体原子相撞产生碰撞游离的是（   ）。

  A.离子

  B.分子

  C.质子

  D.电子

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• 4中性和弱极性液体及固体中的介质损耗主要为（   ）。

  A.极化损耗

  B.热损耗

  C.电导损耗

  D.电化学损耗

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• 5随着温度上升，电介质的电阻率（   ）。

  A.上升

  B.下降

  C.不变

  D.不确定

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• 6根据放电的特征，可用电场不均匀系数 f 表示电场的均匀程度，当（   ）时为极不 均匀电场。

  A.f=1

  B.f<2

  C.f>4

  D.f<2 或 f>4

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• 7虽然电场不均匀，但还不能维持稳定的电晕放电，一旦达到自持。必然会导致整个 间隙立即击穿的电场称为（   ）。

  A.均匀电场

  B.稍不均匀电场

  C.极不均匀电场

  D.平行电场

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• 8正流注的发展方向是从（   ），与初始电子崩的方向（   ）。

  A.阳极到阴极，相同

  B.阳极到阴极，相反

  C.阴极到阳极，相同

  D.阴极到阳极，相反

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• 9电子崩尚未贯穿间隙即形成流注，流注再贯穿气隙的现象称为（   ）。

  A.正流注

  B.小桥放电

  C.负流注

  D.电击穿

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• 10保护设备 S1 的伏秒特性 V1—t 与被保护设备 S2 的伏秒特性 V2—t 合理的配合是（   ）。

  A.V1—t始终高于V2—t

  B.V1—t始终低于V2—t

  C.V1—t先高于 V2—t，后低于 V2—t

  D.V1—t先低于V2—t，后高于V2—t

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