某电路中需要承受的最高反向峰值电压为200V, 考虑2倍裕量，选择额定电压U 为  ( ) 的二极管。

试卷相关题目

• 1高压直流输电的整流阀和逆变阀都采用(   )。

  A.二极管

  B.晶闸管

  C.GTO

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 2快恢复二极管是指冯(  )时间很短。

  A.零偏置转换为正向偏置

  B.反向偏置转为反向击穿

  C.反向恢复时间

  D.反向偏置转为零偏置

  开始考试点击查看答案
• 3反向重复峰值电压URRM 通常是雪崩电压的(  )。

  A.三分之一

  B.三分之二

  C.四分之三

  D.二分之一

  开始考试点击查看答案
• 4反向击穿发生时，首先发生(   )。

  A.电击穿

  B.热击穿

  C.雪崩击穿

  D.齐纳击穿

  开始考试点击查看答案
• 5正弦半波的有效值与平均值的关系是(   )。

  A.1.57 倍

  B.相等

  C.2 倍

  D.π倍

  开始考试点击查看答案
• 6晶闸管除了可以通过门极电流触发，还有以下几种误导通的情况。其中，利用(  )制造的晶闸管可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中。

  A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应

  B.阳极电压上升率过高

  C.结温较高

  D.光直接照射硅片

  开始考试点击查看答案
• 7下面可以触发晶闸管导通的方式中，(  )是最精确.迅速而可靠的控制手段。

  A.门极触发

  B.阳极电压上升率过高

  C.结温较高

  D.光触发

  开始考试点击查看答案
• 8下列新型电力电子器件中，(  )工作频率与电力MOSFET相当，功率容量比电力MOSFET 大，因而适用于高频大功率场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

  开始考试点击查看答案
• 9下列新型电力电子器件中，(  )正在与IGBT 竞争，试图取代GTO 在兆瓦级以上场合的地位。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

  开始考试点击查看答案
• 1020世纪80年代中后期，出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自 诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为(  )。

  A.功率模块

  B.功率集成电路

  C.智能IGBT

  D.高压集成电路

  开始考试点击查看答案