普通晶闸管内部有(    ) PN 结。

试卷相关题目

• 1当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(   )。

  A.导通状态

  B.关断状态

  C.饱和状态

  D.不定

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• 220世纪80年代中后期，出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自 诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为(  )。

  A.功率模块

  B.功率集成电路

  C.智能IGBT

  D.高压集成电路

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• 3下列新型电力电子器件中，(  )正在与IGBT 竞争，试图取代GTO 在兆瓦级以上场合的地位。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 4下列新型电力电子器件中，(  )工作频率与电力MOSFET相当，功率容量比电力MOSFET 大，因而适用于高频大功率场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 5下面可以触发晶闸管导通的方式中，(  )是最精确.迅速而可靠的控制手段。

  A.门极触发

  B.阳极电压上升率过高

  C.结温较高

  D.光触发

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• 6普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的(   )来表示的。

  A.有效值

  B.最大值

  C.平均值

  D.峰值

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• 7现测得某支路中电流的有效值为157A,  则该支路中应接入额定电流为(  )的晶闸管。 (选型时考虑裕量为1.5倍)

  A.50A

  B.100A

  C.150A

  D.200A

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• 8电力二级管的内电场是由(    )建立的。

  A.外加电源

  B.交变电磁场

  C.载流子

  D.空间电荷

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• 9电力MOSFET 在导通时，参与导电的是(  )。

  A.少数载流子

  B.多数载流子

  C.空间电荷

  D.原子核

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• 10MOSFET 的漏极伏安特性中的截止区与GTR 共发射极接法时的输出特性中的()区域有对应关系。  

  A.截止区

  B.放大区

  C.饱和区

  D.非饱和区

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