有关GTR 的二次击穿现象表述错误的是(   )。 

试卷相关题目

• 1电力晶体管又叫(  )。

  A.双极结型晶体管

  B.GTR

  C.BJT

  D.GTO

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• 2电力晶体管(GTR)在电力电子电路中一般工作在开关状态，即工作在()。

  A.放大区

  B.截止区

  C.饱和区

  D.负阻区

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• 3 晶闸管属于(  )。

  A.半控型器件

  B.双极性

  C.电流驱动

  D.全控器件

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• 4下面关于PN 结的描述正确的是(  )。

  A.P型半导体多子是空穴，N 型半导体多子是电子

  B.PN 结内部存在一个空间电荷区，建立了一个内电场

  C.电力电子器件开关频率与PN 结的电容效应没有关系

  D.PN单向导电性是由于多子扩散占优，在外电路形成大电流而呈低阻导通态

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• 5电力电子器件的损耗中(  )

  A.开关频率较低时通态损耗最大

  B.开关频率较高时通态损耗最大

  C.开关频率较高时开关损耗会超过通态损耗

  D.通态损耗小于断态损耗

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• 6下列新型器件中，(  )是复合型器件。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 7晶闸管导通的条件包括(  )。

  A.承受正向电压

  B.承受反向电压

  C.阳极有触发电流

  D.门极有触发电流

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• 8下面(  )属于晶闸管的派生器件。

  A.GTR

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.GTO

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• 9下列器件中， (  )属于单极型器件。

  A.晶闸管

  B.肖特基二极管

  C.电力MOSFET

  D.SIT

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• 10下列器件中，(  )属于复合型器件。

  A.晶闸管

  B.IGBT

  C.电力MOSFET

  D.IGCT

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