MOSFET 既能承受正偏电压，也能承受反偏电压 。(

试卷相关题目

• 1功率场效应晶体管存在二次击穿问题，限定其安全工作区域。(   )

  A.正确

  B.错误

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• 2晶闸管的驱动电路可以和IGBT 的驱动电路通用。(   )

  A.正确

  B.错误

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• 3晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。(    )

  A.正确

  B.错误

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• 4电流驱动型器件的特点是输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单。(   )

  A.正确

  B.错误

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• 5肖特基二极管可用于几十伏低压.高频的场合。

  A.正确

  B.错误

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• 6小功率的电力电子器件不需要安装有散热器。(    )

  A.正确

  B.错误

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• 7电力电子器件在串联使用时要注意各器件的均流问题，在并联使用时要注意各器件的均 压问题。(   )

  A.正确

  B.错误

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• 8IGBT内部寄生的晶闸管导通时，会引发擎住效应，导致器件过热损坏。(   )

  A.正确

  B.错误

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• 9电力电子器件开关频率越高，容量越小。(   )

  A.正确

  B.错误

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• 10GTO 的电流关断增益越大越好。 (    )

  A.正确

  B.错误

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