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电力电子考试题501-600

推荐等级:
  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:模拟试题
  • 测试费用:¥10.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:7
  • 作答时间:0分钟

试卷介绍

试卷预览

  • 71使用或储存电力MOSFET时,要注意栅源极间电压限制在()以内。

    A.20

    B.40

    C.50

    D.100

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  • 72

    智能功率模块IPM往往专指()及其辅助器件与其保护和驱动电路的集成安装

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 73

    20世纪90年代中期以来,逐渐形成了小功率(10kW以下)场合以()为主的局面,

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 74

    很多专家都认为,在未来十年内().都将保持其在电力电子技术中的重要地位。

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO.

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  • 75

    下列新型电力电子器件中,()工作频率与电力MOSFET相当,功率容量比电力MOSFET大,因而适用于高频大功串场合。

    A.MCT

    B.SIT

    C.SItH

    D.IGCT

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  • 76

    下列新型电力电子器件中,()正在与IGBT竞争,试取代化IGBT在兆瓦级以上场合的地位。

    A.MCT

    B.SIT

    C.SITH

    D.IGCT

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  • 7720世纪80年代中后期,出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为()

    A.功率模块

    B.功率集成电路

    C.智能NGBTS

    D.高压集成电路

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  • 78

    某电力二极管在电路中要流过实际电流的有效值为314A2那么倍裕量,选择额定电流为()的二极管。

    A.200A

    B.314A

    C.400A

    D.986A

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  • 79

    某电力二极管额定电流为200A,那么考虑2倍裕量,在电路允许长期流过的实际电流的有效值1为()。

    A.100A

    B.157A

    C.200A

    D.400A

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  • 80

    某电路中需要承受的最高反向峰值为200V,考能2倍裕量,选择额定电压U为()的二极管。

    A.200V

    B.282V

    C.400V

    D.564V

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