怎么理解内存时序有哪些参数

内存时序是什么 一种参数，一般存储在内存条的 SPD 上。2-2-2-8 4 个数字的含义依次为： CAS Latency(简称 CL 值)内存 CAS 延迟时间，他是内存的重要参数之一，某 些牌子的内存会把 CL 值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内 存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-precharge Delay(tRP)，内存行地 址选通脉冲预充电时间。Row-active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这 是玩家最关注的 4 项时序调节，在大部分主板的 BIOS 中可以设定，内存模 组厂商也有计划的推出了低于 JEDEC 认证标准的低延迟型超频内存模组，在 同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比 “3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在 3 至 5 个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别 对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了 吧?!^_^ 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首 先 ， 需 要 在 BIOS 中 打 开 手 动 设 置 ， 在 BIOS 设 置 中 找 到 “ DRAM Timing Selectable” ， BIOS 设 置 中 可 能 出 现 的 其 他 描 述 有 ： Automatic Configuration 、 DRAM Auto 、 Timing Selectable 、 Timing Configuring By SPD 等，将其值设为“Menual”(视 BIOS 的不同可能的选项有：On/Off 或 Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动 出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟 )，一 般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前的 DDR 内存 的寻址，先要进行 P-Bank 的选择(通过 DIMM 上 CS 片选信号进行)，然后才 是 L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在 P-Bank 选择完 之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的 负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得 很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会 自动设置这个参数。 该参数的默认值为 Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其 设置为 Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列， 上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个 3 就是第 1 个参 数，即 CL 参数。 CAS Latency Control( 也被描述为 tCL、CL、CAS Latency Time 、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。 CAS 控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为 CAS 主要控制十六进 制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳 定的前提下应该尽可能设低。 内 存 是 根 据 行 和 列 寻 址 的 ， 当 请 求 触 发 后 ， 最 初 是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化 RAS。一旦 tRAS 激活 后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址， 然后初始化 tRCD，周期结束，接着通过 CAS 访问所需数据的精确十六进制 地址。期间从 CAS 开始到 CAS 结束就是 CAS 延迟。所以 CAS 是找到数据的 最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才 实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一 部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注 意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把 CAS 延迟设为 2 或 2.5 的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提 高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高 CAS 延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS 值越 低，则会导致更快的内存读写操作。CL 值为 2 为会获得最佳的性能，而 CL 值为 3 可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6 芯片可能无法设为 3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第 2 个参数，即第 1 个 4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表 示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或 刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC 规范 中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置 为 3 或 2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为 4 时，系 统将处于最稳定的状态，而该值为 5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提 高 tRCD 值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可 选 的 设 置 ： Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，1 4，15。 该 值就 是该 值就 是“ 3-4-4-8” 内 存时 序参 数中 的最 后一 个参 数， 即 8 。 Min RAS# Active Time ( 也 被 描 述 为 ： tRAS 、 Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周 期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在 5-10 之间。 这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果 tRAS 的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低 tRAS 周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果 tRAS 的 周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引 发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为 CAS latency + tRCD + 2 个时钟周 期。如果你的 CAS latency 的值为 2，tRCD 的值为 3，则最佳的 tRAS 值应该 设置为 7 个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低 tRAS 的值，但如果 发生内存错误或系统死机，则应该增大 tRAS 的值。 如果使用 DFI 的主板，则 tRAS 值建议使用 00，或者 5-10 之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第 3 个参数，即第 2 个 4。Row Precharge Timing ( 也 被 描 述 为 ： tRP 、 RAS Precharge 、 Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写 速度就越快。 tRP 用来设定在另一行能被激活之前，RAS 需要的充电时间。tRP 参数设 置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为 2 可以减少预充电时间，从而更 快地激活下一行。然而，想要把 tRP 设为 2 对大多数内存都是个很高的要求， 可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。 对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为 2 个时钟周期，这是最佳 的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的 bank 将需要 1 个 时钟周期，这将影响 DDR 内存的读写性能，从而降低性能。只有在 tRP 值为 2 而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为 3 个时钟周期。 如果使用 DFI 的主板，则 tRP 值建议 2-5 之间的值。值为 2 将获取最高 的性能，该值为 4 将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为 5，则太 保守。大部分内存都无法使用 2 的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值 1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM 行周期时间”，它是包括行单 元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的 tRAS 值和 tRP 值是多少。如果 tRC 的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活 新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激 活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据 tRC = tRAS + tRP 进行设置，如果你的内存模块的 tRAS 值是 7 个时钟周期，而 tRP 的值 为 4 个时钟周期，则理想的 tRC 的值应当设置为 11 个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值 1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM 行刷新周期时间”， 它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的 bank 中的另一 个行单元两次发送刷新指令(即：REF 指令)之间的时间间隔。tRFC 值越小越 好，它比 tRC 的值要稍高一些。 如果使用 DFI 的主板，通常 tRFC 的值不能达到 9，而 10 为最佳设置， 17-19 是内存超频建议值。建议从 17 开始依次递减来测试该值。大多数稳定 值为 tRC 加上 2-4 个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以 1 的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为 RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到 行单元的延时"。该值也表示向相同的 bank 中的同一个行单元两次发送激活 指令(即：REF 指令)之间的时间间隔。tRRD 值越小越好。 延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而， 由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来 说，推荐 tRRD 值设定为 2 个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀 可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的 bank 将需要 1 个时钟周期，这将影响 DDR 内存的读写性能，从而降低性能。只有在 tRRD 值为 2 而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为 3 个时钟周期。 如果使用 DFI 的主板，则 tRRD 值为 00 是最佳性能参数，4 超频内存时 能达到最高的频率。通常 2 是最合适的值，00 看上去很奇怪，但有人也能稳 定运行在 00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活 的 bank 中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段 必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存 单元中。同样的，过低的 tWD 虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被 正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是 DDR200 和 266 的内存，建议将 tWR 值设为 2;如果使用 DDR333 或 DDR400，则将 tWD 值设为 3。如果使用 DFI 的主板，则 tWR 值 建议为 2。 Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR) ， 表 示 “ 读 到 写 延 时” 。 三 星 公 司 称 其 为 “TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设 定向 DDR 内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读 操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR 值为 2 在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳 定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加 tWTR 值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用 DDR266 或 DDR333，则将 tWTR 值设为 1;如果使用 DDR400，则也可试着将 tWTR 的值设为 1，如果系统不稳定，则改为 2。 Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即： 一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2592= 166mhz(?.??s) 3120= 200mhz(?.??s) --------------------3632= 100mhz(?.??s) 4128= 133mhz(?.??s) 4672= 166mhz(?.??s) 0064= 200mhz(?.??s) --------------------0776= 100mhz(?.??s) 1032= 133mhz(?.??s) 1296= 166mhz(?.??s) 1560= 200mhz(?.??s) --------------------1816= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2336= 166mhz(?.??s) 0032= 200mhz(?.??s) --------------------0388= 100mhz(15.6us) 0516= 133mhz(15.6us) 0648= 166mhz(15.6us) 0780= 200mhz(15.6us) --------------------0908= 100mhz(7.8us) 1032= 133mhz(7.8us) 1168= 166mhz(7.8us) 0016= 200mhz(7.8us) --------------------1536= 100mhz(3.9us) 2048= 133mhz(3.9us) 2560= 166mhz(3.9us) 3072= 200mhz(3.9us) --------------------3684= 100mhz(1.95us) 4196= 133mhz(1.95us) 4708= 166mhz(1.95us) 0128= 200mhz(1.95us) 如果采用 Auto 选项，主板 BIOS 将会查询内存上的一个很小的、名为 “SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD 存储了内存条的各种相关工作 参数等信息，系统会自动根据 SPD 中的数据中最保守的设置来确定内存的运 行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来 ， 15.6us 适用于基于 128 兆位内存芯片的内存(即单颗容量为 16MB 的内存)， 而 7.8us 适用于基于 256 兆位内存芯片的内存(即单颗容量为 32MB 的内存)。 注意，如果 tREF 刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 另外根据其他的资料显示，内存存储每一个 bit，都需要定期的刷新来 充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM 实际上就是电容器，最小的存 储单位是 bit。阵列中的每个 bit 都能被随机地访问。但如果不充电，数据只 能保存很短的时间。因此我们必须每隔 15.6us 就刷新一行。每次刷新时数