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试卷相关题目

• 1下面器件中定性分析，导通管压降最高的是(    )。

  A.Power Diode

  B.Power MOSFET

  C.IGBT

  D.GTR

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• 2下面器件中定性分析，耐压耐流水平最高的是(  )。

  A.SCR

  B.Power MOSFET

  C.IGBT

  D.GTR

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• 3MOSFET 的漏极伏安特性中的截止区与GTR 共发射极接法时的输出特性中的()区域有对应关系。  

  A.截止区

  B.放大区

  C.饱和区

  D.非饱和区

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• 4电力MOSFET 在导通时，参与导电的是(  )。

  A.少数载流子

  B.多数载流子

  C.空间电荷

  D.原子核

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• 5电力二级管的内电场是由(    )建立的。

  A.外加电源

  B.交变电磁场

  C.载流子

  D.空间电荷

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• 6某电力电子器件生产厂家在出厂测试时，测得晶闸管的 UDRM 为805V,  URRM为912V, 则标定此晶闸管的额定电压为(  )。

  A.800V

  B.805V

  C.900V

  D.912V

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• 7某晶闸管的正向阻断重复峰值电压745V,反向重复峰值电压为825V,   则该晶闸管的额定电压 ( ) 。

  A.700V

  B.750V

  C.800V

  D.850V

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• 8当晶闸管门极电流为零时，在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于(  )

  A.导通状态

  B.正向阻断状态

  C.反向阻断状态

  D.饱和状态。

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• 9交流调压电路中采用的一对反并联的晶闸管，可以由下列哪个器件替代(  )

  A.双向晶闸管

  B.逆导晶闸管

  C.可关断晶闸管

  D.快速晶闸管

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• 10双向晶闸管的额定电流是以(  )定义的。

  A.最大值有效值

  B.有效值

  C.平均值

  D.瞬时值

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