某晶闸管的正向阻断重复峰值电压745V,反向重复峰值电压为825V,   则该晶闸管的额定电压 ( ) 。

试卷相关题目

• 1某电力电子器件生产厂家在出厂测试时，测得晶闸管的 UDRM 为805V,  URRM为912V, 则标定此晶闸管的额定电压为(  )。

  A.800V

  B.805V

  C.900V

  D.912V

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• 2恢复时间最短的是(  )。

  A.普通二极管

  B.快恢复二极管

  C.肖特基二极管

  D.整流二极管

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• 3下面器件中定性分析，导通管压降最高的是(    )。

  A.Power Diode

  B.Power MOSFET

  C.IGBT

  D.GTR

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• 4下面器件中定性分析，耐压耐流水平最高的是(  )。

  A.SCR

  B.Power MOSFET

  C.IGBT

  D.GTR

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• 5MOSFET 的漏极伏安特性中的截止区与GTR 共发射极接法时的输出特性中的()区域有对应关系。  

  A.截止区

  B.放大区

  C.饱和区

  D.非饱和区

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• 6当晶闸管门极电流为零时，在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于(  )

  A.导通状态

  B.正向阻断状态

  C.反向阻断状态

  D.饱和状态。

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• 7交流调压电路中采用的一对反并联的晶闸管，可以由下列哪个器件替代(  )

  A.双向晶闸管

  B.逆导晶闸管

  C.可关断晶闸管

  D.快速晶闸管

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• 8双向晶闸管的额定电流是以(  )定义的。

  A.最大值有效值

  B.有效值

  C.平均值

  D.瞬时值

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• 9门极可关断晶闸管额定电流是以(  )定义的。

  A.最大值

  B.有效值

  C.平均值

  D.瞬时值

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• 10高压直流输电中，其送电端(从电厂出来的一端)采用电力电子中的(  )技术。

  A.整流

  B.逆变

  C.变频

  D.直流斩波

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