IGBT 是由Power MOSFET和 GTR 复合而成,利用了( )的优势。
A.GTR开关速度快,所需驱动功率小且驱动电路简单
B.PowerMOSFET开关速度快,所需驱动功率小且驱动电路简单一
C.GTR具有电导调制效应,通流能力很强
D.PowerMOSFET具有电导调制效应,通流能力很强
试卷相关题目
- 1下列哪些器件属于电流驱动器件。( )
A.电力场效应管
B.绝缘栅双极型晶体管
C.电力晶体管
D.门极可关断晶闸管
开始考试点击查看答案 - 2下面关于绝缘栅双极晶体管说法正确的有( )。
A.将 MOSFET与GTR的优点集于一身
B.双极性器件,导通压降不高
C.电压型驱动器件,开关频率较高
D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域
开始考试点击查看答案 - 3电力电子器件的开关损耗包括( )。
A.通态损耗
B.断态损耗
C.开通损耗
D.关断损耗
开始考试点击查看答案 - 4下列器件中,( )属于复合型器件。
A.晶闸管
B.IGBT
C.电力MOSFET
D.IGCT
开始考试点击查看答案 - 5下列器件中, ( )属于单极型器件。
A.晶闸管
B.肖特基二极管
C.电力MOSFET
D.SIT
开始考试点击查看答案 - 6下列电力电子器件中,存在电导调制效应的是( )。
A.GTO
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 7GTO 是全控型器件的原因是( )。
A.GTO采用多元集成结构
B.门极和阴极之间的距离短
C.导通时饱和程度较晶闸管低
D.导通时饱和程度较晶闸管高
开始考试点击查看答案 - 8POWERMOSFET 的特点是( )。
A.电压驱动型
B.驱动功率小
C.只适用于小功率场合
D.单极型
开始考试点击查看答案 - 9下列应用中,采用整流电路的有( )。
A.高压直流输电
B.晶闸管投切电容器
C.晶闸管控制电抗器
D.电解铝
开始考试点击查看答案 - 10下列电路中,( )宜采用全控型器件。
A.相控整流电路
B.直流斩波电路
C.大功率交流调压电路
D.电压型PWM逆变电路
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最新试卷
第三章逆变电路的结构、工作原理及特性(拔高章节题)
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