试卷相关题目
- 1GTO 是全控型器件的原因是( )。
A.GTO采用多元集成结构
B.门极和阴极之间的距离短
C.导通时饱和程度较晶闸管低
D.导通时饱和程度较晶闸管高
开始考试点击查看答案 - 2下列电力电子器件中,存在电导调制效应的是( )。
A.GTO
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 3IGBT 是由Power MOSFET和 GTR 复合而成,利用了( )的优势。
A.GTR开关速度快,所需驱动功率小且驱动电路简单
B.PowerMOSFET开关速度快,所需驱动功率小且驱动电路简单一
C.GTR具有电导调制效应,通流能力很强
D.PowerMOSFET具有电导调制效应,通流能力很强
开始考试点击查看答案 - 4下列哪些器件属于电流驱动器件。( )
A.电力场效应管
B.绝缘栅双极型晶体管
C.电力晶体管
D.门极可关断晶闸管
开始考试点击查看答案 - 5下面关于绝缘栅双极晶体管说法正确的有( )。
A.将 MOSFET与GTR的优点集于一身
B.双极性器件,导通压降不高
C.电压型驱动器件,开关频率较高
D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域
开始考试点击查看答案 - 6下列应用中,采用整流电路的有( )。
A.高压直流输电
B.晶闸管投切电容器
C.晶闸管控制电抗器
D.电解铝
开始考试点击查看答案 - 7下列电路中,( )宜采用全控型器件。
A.相控整流电路
B.直流斩波电路
C.大功率交流调压电路
D.电压型PWM逆变电路
开始考试点击查看答案 - 8PN 结中的电荷量随外加电压的变化而变化,呈现电容效应,称为结电容,结电容分为 ( )
A.势垒电容
B.扩散电容
C.微分电容
D.积分电容
开始考试点击查看答案 - 9GTO 关断时需要的负脉冲电流值不大。( )
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 10为了能获得大的通流能力,电力二极管大都采用横向导电结构。
A.正确
B.错误
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